女人av网,揉我啊嗯～出水了,军人自慰网站,操逼。,夜夜操com,四虎网站在线观看,亚洲污视频网站,污污的网站免费观看

ON安森美中國(guó)代理商聯(lián)接渠道

強(qiáng)大的安森美芯片現(xiàn)貨交付能力，助您成功

首頁(yè)

ON代理商 > > ON芯片 > > NVMFS6H824NWFT1G

產(chǎn)品參考圖片

NVMFS6H824NWFT1G

制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）

類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN

（專(zhuān)注銷(xiāo)售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�

（您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）

點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔

全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，ON（安森美）授權(quán)中國(guó)代理商

技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVMFS6H824NWFT1G

制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：19A（Ta），103A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 140μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2470pF @ 40V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），115W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

現(xiàn)在可以訂購(gòu)NVMFS6H824NWFT1G，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

AR0237IRSH00SHRAH3-GEVB

FW389-TL-2WX

NTA4151PT1

CS8156YTHA5G

ON芯片（安森美）全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專(zhuān)家，ON代理商獨(dú)家渠道，提供最合理的總體采購(gòu)成本