国产人成无码视频在线观看,涩涩的网址,一级黄色夫妻生活,国产ts人妖一区二区,操碰人人,色男人色天堂,中文字幕波多野结衣,美女黄视频网站

ON安森美中國(guó)代理商聯(lián)接渠道

強(qiáng)大的安森美芯片現(xiàn)貨交付能力，助您成功

首頁(yè)

ON代理商 > > ON芯片 > > NTTFS3D7N06HLTWG

產(chǎn)品參考圖片

NTTFS3D7N06HLTWG

制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN

（專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�

（您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）

點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔

全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，ON（安森美）授權(quán)中國(guó)代理商

技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTTFS3D7N06HLTWG

制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：16A（Ta），103A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3，9毫歐 @ 23A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 120μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：32.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2383pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2，2W（Ta），83W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）

現(xiàn)在可以訂購(gòu)NTTFS3D7N06HLTWG，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

FEBFAN23SV65-LVA-GEVB

ON芯片（安森美）全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專家，ON代理商獨(dú)家渠道，提供最合理的總體采購(gòu)成本