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產(chǎn)品參考圖片

NTLJS4149PTBG

制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：6-WDFN（2x2）

技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTLJS4149PTBG

制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）

描述：MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2.7A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：62 毫歐 @ 4.5A，4.5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：960pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：700mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：6-WDFN（2x2）

現(xiàn)在可以訂購(gòu)NTLJS4149PTBG，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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