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產(chǎn)品參考圖片

NTD3808N-1G

制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）

類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：I-PAK

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTD3808N-1G

制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：16V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：12A（Ta），76A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.8 毫歐 @ 15A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±16V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1660pF @ 12V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.3W（Ta），52W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

器件封裝：I-PAK

現(xiàn)在可以訂購(gòu)NTD3808N-1G，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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