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產(chǎn)品參考圖片

FQB10N20LTM

制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQB10N20LTM

制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：QFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：10A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 5A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：830pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），87W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

現(xiàn)在可以訂購(gòu)FQB10N20LTM，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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